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IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜

更新時間:2017-04-22

簡要描述:

IA-DJYJP3VP3R-300/500V-10*2*2.5-計算機電纜結構:交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜-由安徽華強電纜有限公司IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜。

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  發(fā)郵件給我們:ahhqdl@163.com

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合,傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜,簡稱本安DCS系統(tǒng)用電纜,具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能,因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜執(zhí)行標準:采用企業(yè)標準生產

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜使用特性:

1、交流額定電壓U0/U:300/500V
2、電纜導體允許zui高工作溫度:聚氯乙烯絕緣為70℃;交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃;無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、zui低環(huán)境溫度:固定敷設-40℃;非固定敷設-15℃;安裝敷設時環(huán)境溫度:不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑:非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍;銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。

計算機電纜型號和名稱:

型號

名稱

IA-DJYPVP

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYPVPR

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYP3VP3

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYP3VP3R

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYP2VP2

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYP2VP2R

聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJPVP

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYJPVPR

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJP3VP3

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYJP3VP3R

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

IA-DJYJP2VP2

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

IA-DJYJP2VP2R

交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYPVP

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜

WDZ-IA-DJYPVPR

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYP3VP3

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

WDZ-IA-DJYP3VP3R

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

WDZ-IA-DJYP2VP2

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜

WDZ-IA-DJYP2VP2R

無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

計算機電纜技術參數(shù) :1、20℃導體直流電阻及導體結構

標稱截面(mm2)

導體結構(根數(shù)/單絲直徑mm)

20℃直流電阻≤(Ω/km)

A類

B類

R類

A、B類

R類

0.5

1/0.8

7/0.3

16/0.2

≤36.0

≤39.0

0. 75

1/0.97

7/0.37

24/0.2

≤24.5

≤26.0

1.0

1/1.13

7/0.43

32/0.2

≤18.1

≤19.5

1.5

1/1.38

7/0.52

30/0.25

≤12.1

≤13.3

2.5

1/1.78

7/0.68

49/0.25

≤7.41

≤7.98

2、20℃絕緣電阻

性能項目

PVC絕緣

PE、XLPE絕緣

20℃時絕緣電阻MΩ.KM

≥25

≥500

3、電纜應經(jīng)受工頻交流電壓試驗:2000V/1min絕緣不發(fā)生擊穿,試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容(1KHZ):線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容(1KHZ)≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應電壓(干擾磁場400A/m)≤5mV
7、靜電感應電壓(靜電電壓20KV)<1V
8、輻射場透入強度(干擾場強120dBμV,干擾場頻率200MHZ)≤dB。

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